automat писал(а): При мощности более 100Вт резко сгорают выходные IGBT-транзисторы, причем перегрева и искажений не появляется (Пробиты затворы и переходы).
Параметры указаны для резистивной нагрузки на частоте 1 кГц. При реальной нагрузке в виде громкоговорителя номинальным сопротивлением 4 Ом ее импеданс на частотах, близких к основному резонансу НЧ головки, может иметь провал до 3 Ом и даже ниже, а также заметный сдвиг тока и напряжения на звуковой катушке. Следует все-таки не упускать из виду, что IGBT - биполярный транзистор, управляемый посредством полевого с изолированным затвором. Поэтому ему не чужды недостатки его семейства (ограничения в ОБР). Кстати, автор эксплуатирует усилитель с ПТ.
Усилитель рассчитан на достаточно высокое напряжение питания и обеспечивает ограничение тока нагрузки без специального устройства. Пересчитывать режимы для меньшего напряжения питания целесообразно при возможности моделирования и отладки именно в модели (должен быть увязан ряд параметров). Ориентировочные токи транзисторов: VT1,VT2 - по 0,5 мА; VT3 - 2,5 мА; VT4-VT5 - 11 мА; VT6 - 22 мА, VT7,VT8 - по 200 мА.