VladimirT писал(а): Чем больше общаюсь на форумах, тем больше познаю нового...
Век живи - век учись, хотя Интернет-форумы для этого не лучшее место. Слишком много кочующих по ним сведений - "фейковые", как сейчас модно говорить.
Но вернёмся к коэффициенту насыщения. Это не параметр биполярного транзистора, а параметр его режима. Он показывает, во сколько раз ток базы транзистора больше того, который был бы достаточен для поддержания транзистора в режиме насыщения. Насыщение связано с накоплением в области базы неосновных носителей заряда. После выключения тока базы они рассасываются, на что требуется время тем большее, чем более глубоким было насыщение. И всё это время участок коллектор-эмиттер транзистора остаётся открытым. Поэтому (особенно на высоких частотах) транзисторы стараются не перенасыщать и даже удерживать на границе этого режима, не позволяя насыщаться. Некоторые меры по борьбе с перенасыщением назвал
СНГ.