Технический форум журнала "РАДИО"

Имеется силовая плата обычного мощьного мостового преобразователя, с резонансным контуром в цепи выходного трансформатора. Все транзисторы пробиты, а маркировка сточена на наждачном круге, так что я не могу узнать не то что марку транзисторов, но даже тип. Плата китайская. Транзисторы мощные, в корпусе ТО-247, в цепи базы/затвора, после управляющего трансформатора, стоят резисторы по 33 Ом. Больше на плате ничего нет.
Вопрос к знатокам - какие же транзисторы там могут стоять - биполярные или полевые. Я больше склоняюсь к полевым, но хотелось бы услышать ещё чьё то мнение.

Или еще IGBT... Главное - большой предельный ток и напряжение не менее 600 В

Я предпологаю, что транзисторы всё таки биполярные по резисторам в цепи базы. Китайцы особо не шикуют полевыми. В преобразователях для галогеновых ламп похожая схема, только без контура. Там стоят биполярные н-п-н с резисторами 30 Ом в цепи базы.

Для 100%-ной уверенности нужно определить уровени открывающих импульсов на выходах управляющего трансформатора. Для биполярных транзисторов импульсы менее 3-4 В, а полевиков более 7-10 В.
1. Если схема управления рабочая, то можно смотреть осциллографом на одной из вторичных обмоток управляющего трансформатора (на Х. Х. то есть отпаяв базу/затвор ключа) во внимание берется не иголчатые выбросы а плоская вершина открывающего импульса.
2. В случае неисправной схемы драйвера нужно определить соотношение витков обмоток управляющего трансформатора, например, посчатав витки или подать на транс сигнал 20-100кГц и посмотреть соотношение уровней на входе и выходе. Форма сигнала не критична, например, спаять мультивибратор на 561ЛН2, ЛА7...
Для рассчета по второму варианту нужно знать напряжение питания схемы управления преобразователя.

Да, я так и сделал - запустил схему управления и посмотрел амплитуду импульсов. На нагрузке 150 Ом, на открывающих электродах транзисторов амплитуда импульсоов 8В, а без нагрузки почти 14В. Стало быть транзисторы всё таки полевые. Или IGBT...
Причём схема управления работает довольно интересно - меняется не глубина ШИМ, а частота генератора, в районе 20-30 кГц. Следовательно выходная мощность зависит от совпадения или несовпадения частоты преобразователя с частотой резонансного контура в цепи первичной обмотки силового трансформатора.

[quote="Designer"] без нагрузки почти 14В. Стало быть транзисторы всё таки полевые. Или IGBT...
Да, полевые MOSFET. В IGBT на входе p-n-переход т. е. как у биполярника достаточно 0,7-0,9В для открывания.

В IGBT на входе p-n-переход

Нет, всё таки у IGBT на входе затвор полевика. Потому он и называется Isolated Gate Bipolar Transistor. А на выходе у него биполярник.
Но я думаю китайцы вряд ли разорятся на IGBT, потому попробую сначала полевики, т.е. MOSFET.