Непонятки с полевым транзистором

[Потерпевший]

Не смог разобраться с тем как полевой транзистор с P-N переходом типа КП303.

До этого пробовал эксперименитировать с транзисторами типа КП501, и импортными полевиками MOSFET снятыми с убитой системной платы от компьютера, в общем ничего неожиданного не оказалось:
http://i052.radikal.ru/0806/2f/e83762b5732a.jpg

Транзистор вел себя почти как обычный (биполярный), кроме отсуствия тока затвора. От напряжения на затворе зависил ток стока, в общем все оказалось в рамках понимания.

Иная ситуация возникла когда решил провести эксперимент с полевиком типа КП303:
http://i007.radikal.ru/0806/de/24df231ad991.jpg

Результаты оказались не очень очевидными. Полевик оказался частично открытым при отсуствии какого-либо напряжения на затворе, а регулировка напряжения на затворе мало влияла на ток стока. Решил что он пробитый, и заменил на другой, в результате получил тоже самое.

Кто может доступным языком, без формул и графиков прокомментировать непонятки с КП303?

[ASD]

Транзистор КП303 относится к полевым с встроенным каналом. Это значит, что канал проводимости между сток и истоком существует при нулевом напряжении между затвором и истоком. Значение тока стока в этом режиме - классификационный параметр. В зависимости от буквенного индекса он может быть от 0,5 до 15 мА. Чтобы запереть такой транзистор, на его затвор нужно подать отрицательное относительно истока напряжение. Сколько-нибудь значительное положительное напряжение на затвор подавать нельзя, откроется p-n переход между ним и каналом, что приведет к неприятностям. Существуют аналогичные транзисторы с p-каналом (КП103, КП302). Они отличаются противоположной полярностью подаваемого напряжения (на сток - минус, а на затвор, чтобы запереть канал, - плюс).

Извините, сейчас вынужден прерваться. Если интересуют еще подробности, позже могу продолжить.

[Потерпевший]

Извините, сейчас вынужден прерваться. Если интересуют еще подробности, позже могу продолжить

Интересует, и еще как. Хотелось бы знать как будет выглядеть схема усилительного и ключевого каскада на полевых транзисторах вроде КП303.

[ASD]

По характеристикам такой транзистор (именно его первоначально назвали полевым (FET - field effect transistor) очень похож на электронную лампу. Соответственно и схема усилительного каскада получается подобной ламповой: в цепи истока (у лампы - катода) резистор смещения, зашунтированный конденсатором, на затвор ("управляющую сетку"), соединеный по постоянному току через резистор большого номинала с общим проводом, подан входной сигнал, а выходной сигнал снимают нагрузочного резистора в цепи стока ("анода"). Можно построить и истоковый повторитель, по схеме и характеристикам он ближе в ламповому катодному повторителю, чем к транзисторному эмиттерному.
А вот для ключа классический FET мало подходит - слишком велико сопротивление канала при нулевом напряжении, а уменьшить его, подавая на затвор положительное напряжение, невозможно, т.к. открывается p-n переход, изолирующий затвор от канала. Здесь предпочтительнее появившиеся позже полевые транзисторы с металлическим затвором, изолированным слоем двуокиси кремния. Такую структуру описывает аббревиатура MOS (МОП) - металл, оксид, полупроводник). Их обычно делают с индуцируемым каналом. Это значит, что при нулевом напряжении на затворе канал отсутствует (закрыт), открывается он лишь при напряжении на затворе более некоторого значения, называемого пороговым.

[Потерпевший]

Это значит, что при нулевом напряжении на затворе канал отсутствует (закрыт), открывается он лишь при напряжении на затворе более некоторого значения, называемого пороговым.

С Gate Threshold Voltage у MOSFET я уже успел познакомится.
Ещё порадовал исключительно малый ток управления мосфетом, хорошо упраляется даже через многогигаомые сопротивления утечек и даже через воздух.

Я немного знаком с ламповой схемотехникой, и теперь мне в принципе все понятно. Спасибо большое за консультацию.