MM16 » 16 окт 2017, 09:44
СНГ, падение напряжения на двух последовательно соединенных транзистора в два раза больше чем на одном, хотя действительно оно мало и снижение кпд может быть небольшим.
Как известно, любой трансформатор имеет индуктивность рассеяния (Можно посмотреть на схему замещения трансформатора в любом учебнике ТОЭ). Именно в ней запасается энергия, вызывающая выброс напряжения на стоках транзисторов. Чем больше индуктивность рассеяния и ток стока тем больше энергия выброса. Амплитуда выброса ограничивается напряжением пробоя транзистора или паразитной емкостью монтажа, если транзистор все же не пробьется. Судя по тому, что схема работает, пробой носит обратимый характер. Величина индуктивности рассеяния зависит от конструкции трансформатора.
Выбросы в данной схеме возникают при любом характере нагрузки поскольку сначала закрывается один транзистор и только потом с некоторой задержкой включается другой. На осциллографе, подключенном к стоку транзистора они хорошо заметны. Другой способ их обнаружить - подключить к стоку анод импульсного диода, а катод диода к конденсатору, второй вывод которого соединен с общим проводом. Замерив напряжение на конденсаторе высокоомным вольтметром можно увидеть, что оно заметно превышает удвоенное напряжение питания схемы - это и говорит о наличии перенапряжений на стоках.
В надежных преобразователях включают RC или RVC цепочки для подавления таких импульсов.
Встроенные диод между стоком и истоком у N-канального транзистора включен катодом к стоку и анодом к истоку. При положительном напряжении на стоке он заперт и не препятствует возникновению положительного импульса перенапряжения на стоке. Диод защитит транзистор только от отрицательной полуволны переходного процесса, возникшего после запирания транзистора, а вот первую, положительную полуволну он не подавляет.